德国Infineon科技公司的研究人员称，他们制造出了世界上最小的纳米管晶体管，这种场效应管的通道长度仅为18 nm。

　　Infineon公司的Franz Kreupl告诉nanotechweb.org的记者说：“目前研究的纳米管晶体管的通道长度比最尖端的硅晶体管要长得多，而晶体管器件的速度和性能很大程度上取决于通道长度。”

　　Kreupl还说：通道长度大于50 nm的纳米管已显示出优越的性能。然而，那些文献中的样品显示出较低的on/off比率，也就是所谓的双极性。这主要由于所用的纳米管直径大于1.4 nm从而具有低的能带隙。

　　Infineon公司的研究小组使用了直径为0.7 - 1.1 nm的纳米管，这样就大大地提高了能带隙。said Kreupl说：“因此，我们可以实现具有高的on/off比率而无双极性的晶体管，这种晶体管可以为未来的器件提拱足够的电流。”

　　该晶体管的on/off电流比率高于106，并且有别于那些低能隙的碳纳米场效应管它们并没显示出双极性。当所加电压为0.4 V时，该晶体管可以传输超过15 μA的电流，比硅晶体管在0.7 V的正常电压下的电流密度要高１０倍。

　　据研究人员所说，这种晶体管在许多方面的性能已经表现得跟那些大得多的硅晶体管一样。而它的高on/off电流比率使进一步的小型化成为可能。Infineon公司说这些结果显示到2018年纳米晶体管可以满足进一步小型化的要求。

　　Kreupl 说：“除了持续生产的问题，下一步将是研究在这样一个短通道的晶体管内的有效掺杂问题，我们需要p型和 n型的晶体管来实现逻辑化。”

　　《Nano Letters》对上述研究工作作了报导。